• bbb

വെൽഡിംഗ് മെഷീനിനുള്ള ഹൈ-കറന്റ് ഫിലിം കപ്പാസിറ്റർ സ്‌നബ്ബർ (SMJ-TC)

ഹൃസ്വ വിവരണം:

കപ്പാസിറ്റർ മോഡൽ: SMJ-TC

ഫീച്ചറുകൾ:

1. ചെമ്പ് പരിപ്പ് ഇലക്ട്രോഡുകൾ

2. ചെറിയ ഭൗതിക വലിപ്പവും എളുപ്പമുള്ള ഇൻസ്റ്റാളേഷനും

3. മൈലാർ ടേപ്പ് വൈൻഡിംഗ് സാങ്കേതികവിദ്യ

4. ഡ്രൈ റെസിൻ പൂരിപ്പിക്കൽ

5. ലോ ഇക്വിവലന്റ് സീരീസ് ഇൻഡക്‌ടൻസും (ഇഎസ്എൽ) ഇക്വിവലന്റ് സീരീസ് റെസിസ്റ്റൻസും (ഇഎസ്ആർ)

അപേക്ഷകൾ:

1. ജിടിഒ സ്നബ്ബർ

2. പീക്ക് വോൾട്ടേജും പീക്ക് കറന്റ് ആഗിരണവും ഇലക്‌ട്രോണിക് ഉപകരണങ്ങളിലെ സ്വിച്ചിംഗ് ഘടകത്തിനുള്ള സംരക്ഷണവും

 

സ്വിച്ചിംഗ് സർക്യൂട്ടുകളിൽ ഉപയോഗിക്കുന്ന ഡയോഡുകൾക്ക് സ്നബ്ബർ സർക്യൂട്ടുകൾ അത്യാവശ്യമാണ്.റിവേഴ്സ് റിക്കവറി പ്രക്രിയയിൽ ഉണ്ടായേക്കാവുന്ന ഓവർവോൾട്ടേജ് സ്പൈക്കുകളിൽ നിന്ന് ഒരു ഡയോഡിനെ സംരക്ഷിക്കാൻ ഇതിന് കഴിയും.


ഉൽപ്പന്ന വിശദാംശങ്ങൾ

ഉൽപ്പന്ന ടാഗുകൾ

സാങ്കേതിക ഡാറ്റ

പ്രവർത്തന താപനില പരിധി പരമാവധി. പ്രവർത്തന താപനില
കപ്പാസിറ്റൻസ് പരിധി

0.22-3μF

റേറ്റുചെയ്ത വോൾട്ടേജ്

3000V.DC~10000V.DC

Cap.tol

±5%(ജെ) ;±10%(കെ)

വോൾട്ടേജ് നേരിടുക

1.35Un DC/10S

ഡിസിപ്പേഷൻ ഘടകം

tgδ≤0.001 f=1KHz

ഇൻസുലേഷൻ പ്രതിരോധം

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S-ൽ)

C>0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S-ൽ)

സ്ട്രൈക്ക് കറന്റിനെ നേരിടുക

ഡാറ്റ ഷീറ്റ് കാണുക

ആയുർദൈർഘ്യം

100000h (Un; Θhotspot≤70°C)

റഫറൻസ് സ്റ്റാൻഡേർഡ്

IEC 61071;

സവിശേഷത

1. മൈലാർ ടേപ്പ്, റെസിൻ ഉപയോഗിച്ച് അടച്ചിരിക്കുന്നു;

2. ചെമ്പ് നട്ട് ലീഡുകൾ;

3. ഉയർന്ന വോൾട്ടേജിനുള്ള പ്രതിരോധം, കുറഞ്ഞ tgδ, കുറഞ്ഞ താപനില വർദ്ധനവ്;

4. കുറഞ്ഞ ESL, ESR;

5. ഉയർന്ന പൾസ് കറന്റ്.

അപേക്ഷ

1. ജിടിഒ സ്നബ്ബർ.

2. പീക്ക് വോൾട്ടേജ്, പീക്ക് കറന്റ് അബ്സോർപ്ഷൻ പ്രൊട്ടക്ഷൻ എപ്പോൾ വൈദ്യുതി ഇലക്ട്രോണിക് ഉപകരണങ്ങളിൽ വ്യാപകമായി ഉപയോഗിക്കുന്നു.

സാധാരണ സർക്യൂട്ട്

1

ഔട്ട്ലൈൻ ഡ്രോയിംഗ്

2

സ്പെസിഫിക്കേഷൻ

Un=3000V.DC

കപ്പാസിറ്റൻസ് (μF)

φD (മില്ലീമീറ്റർ)

L(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0.22

35

44

52

25

1100

242

30

0.33

43

44

52

25

1000

330

35

0.47

51

44

52

22

850

399

45

0.68

61

44

52

22

800

544

55

1

74

44

52

20

700

700

65

1.2

80

44

52

20

650

780

75

1.5

52

70

84

30

600

900

45

2.0

60

70

84

30

500

1000

55

3.0

73

70

84

30

400

1200

65

4.0

83

70

84

30

350

1400

70

Un=6000V.DC

കപ്പാസിറ്റൻസ് (μF)

φD (മില്ലീമീറ്റർ)

L(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0.22

43

60

72

25

1500

330

35

0.33

52

60

72

25

1200

396

45

0.47

62

60

72

25

1000

470

50

0.68

74

60

72

22

900

612

60

1

90

60

72

22

800

900

75

 

Un=7000V.DC

കപ്പാസിറ്റൻസ് (μF)

φD (മില്ലീമീറ്റർ)

L(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0.22

45

57

72

25

1100

242

30

0.68

36

80

92

28

1000

680

25

1.0

43

80

92

28

850

850

30

1.5

52

80

92

25

800

1200

35

1.8

57

80

92

25

700

1260

40

2.0

60

80

92

23

650

1300

45

3.0

73

80

92

22

500

1500

50

 

Un=8000V.DC

കപ്പാസിറ്റൻസ്(μF)

φD (മില്ലീമീറ്റർ)

L(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0.33

35

90

102

30

1100

363

25

0.47

41

90

102

28

1000

470

30

0.68

49

90

102

28

850

578

35

1

60

90

102

25

800

800

40

1.5

72

90

102

25

700

1050

45

2.0

83

90

102

25

650

1300

50

 

Un=10000V.DC

കപ്പാസിറ്റൻസ് (μF)

φD (മില്ലീമീറ്റർ)

L(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0.33

45

114

123

35

1500

495

30

0.47

54

114

123

35

1300

611

35

0.68

65

114

123

35

1200

816

40

1

78

114

123

30

1000

1000

55

1.5

95

114

123

30

800

1200

70


  • മുമ്പത്തെ:
  • അടുത്തത്:

  • നിങ്ങളുടെ സന്ദേശം ഞങ്ങൾക്ക് അയക്കുക:

    നിങ്ങളുടെ സന്ദേശം ഇവിടെ എഴുതി ഞങ്ങൾക്ക് അയക്കുക

    നിങ്ങളുടെ സന്ദേശം ഞങ്ങൾക്ക് അയക്കുക: