ഉയർന്ന വോൾട്ടേജ്, ഉയർന്ന കറൻ്റ്, ഉയർന്ന പൾസ് ആപ്ലിക്കേഷനുകളിൽ ഉപയോഗിക്കുന്ന പോളിപ്രൊഫൈലിൻ സ്നബ്ബർ കപ്പാസിറ്ററുകൾ

ഹൃസ്വ വിവരണം:

ആക്സിയൽ സ്നബ്ബർ കപ്പാസിറ്റർ SMJ-TE

സ്‌നബ്ബർ കപ്പാസിറ്ററുകൾ അക്ഷീയ ടെർമിനലുകളുള്ള ഉയർന്ന കറൻ്റ്, ഉയർന്ന ഫ്രീക്വൻസി കപ്പാസിറ്ററുകളാണ്.ആക്‌സിയൽ ഫിലിം കപ്പാസിറ്ററുകൾ CRE-യിൽ ലഭ്യമാണ്.ആക്സിയൽ ഫിലിം കപ്പാസിറ്ററുകൾക്കായി ഞങ്ങൾ ഇൻവെൻ്ററി, വിലനിർണ്ണയം, ഡാറ്റാഷീറ്റുകൾ എന്നിവ വാഗ്ദാനം ചെയ്യുന്നു.

1. ISO9001, UL സർട്ടിഫിക്കറ്റ്;

2. വിപുലമായ ഇൻവെൻ്ററി;

ഞങ്ങൾക്ക് ഇമെയിൽ അയയ്ക്കുക PDF ആയി ഡൗൺലോഡ് ചെയ്യുക

ഉൽപ്പന്ന വിശദാംശങ്ങൾ

ഉൽപ്പന്ന ടാഗുകൾ

സാങ്കേതിക ഡാറ്റ

പ്രവർത്തന താപനില പരിധി	പരമാവധി. പ്രവർത്തന താപനില
കപ്പാസിറ്റൻസ് പരിധി	0.1μF～5.6μF
റേറ്റുചെയ്ത വോൾട്ടേജ്	630V.DC～2000V.DC
Cap.tol	±5%(ജെ) ;±10%(കെ)
വോൾട്ടേജ് സഹിക്കുക	1.5Un DC/10S
ഡിസിപ്പേഷൻ ഘടകം	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ഇൻസുലേഷൻ പ്രതിരോധം	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S-ൽ) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S-ൽ)
സ്ട്രൈക്ക് കറൻ്റിനെ നേരിടുക
ആയുർദൈർഘ്യം	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
റഫറൻസ് സ്റ്റാൻഡേർഡ്	IEC 61071 ;IEC 61881;GB/T17702

അപേക്ഷ

1. IGBT സ്‌നബ്ബർ, GTO സ്‌നബ്ബർ

2. പവർ സർക്യൂട്ടിലെ പ്രതിപ്രവർത്തനങ്ങളിൽ നിന്ന് ഊർജം ആഗിരണം ചെയ്യുക എന്നതാണ് സ്‌നബറിൻ്റെ അടിസ്ഥാന പ്രവർത്തനം.

3. പീക്ക് വോൾട്ടേജ്, പീക്ക് കറൻ്റ് അബ്സോർപ്ഷൻ പ്രൊട്ടക്ഷൻ എപ്പോൾ വൈദ്യുതി ഇലക്ട്രോണിക് ഉപകരണങ്ങളിൽ ഇത് വ്യാപകമായി ഉപയോഗിക്കുന്നു.

ഔട്ട്ലൈൻ ഡ്രോയിംഗ്

SMJ-TE ആക്സിയൽ കപ്പാസിറ്റർ
വോൾട്ടേജ്		Un630V.DC;Urms400Vac;Us 945V
കപ്പാസിറ്റൻസ്(uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (മില്ലീമീറ്റർ)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (എ)
0.22	32	9.5	17.5	0.8	16	23	300	66	5.3
0.33	32	12	20	1	13	22	200	66	6.5
0.47	32	14.5	22.5	1	11	21	220	103.4	8.3
0.68	32	18	26	1	10	20	180	122.4	9.5
1	37	11	19	1	8	28	150	150	7.6
1.5	37	13.5	21.5	1	7	27	150	225	9.5
2	37	16	24	1.2	6	24	130	260	10.2
2.5	37	18	26	1.2	5.5	25	120	300	10.5
3	37	20	28	1.2	5	30	110	330	10.8
3.3	37	21	29	1.2	4.5	30	110	363	11.2
4	57	27	36.5	1.2	4.2	32	220	880	12.8
4.7	57	28	40.5	1.2	3.8	32	200	940	13.8
5.6	57	31	33.5	1.2	3.5	32	185	1036	13.5
6.8	37	29	41.5	1.2	2.5	28	100	680	13.8
6.8	57	34	46.5	1.2	2.8	30	180	1224	14.2
വോൾട്ടേജ്		Un 1000V.DC;Urms 500Vac;Us 1500V
കപ്പാസിറ്റൻസ്(uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (മില്ലീമീറ്റർ)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (എ)
0.15	32	10	17.5	0.8	20	20	1100	165	5.5
0.22	32	12	20	1	15	21	1000	220	7.3
0.33	32	15.5	23	1	13	21	1000	330	8.7
0.47	32	18.5	26	1.2	10	23	1000	470	10.5
0.47	44	14	22	1.2	9	24	900	423	9.5
0.68	32	20	32.5	1.2	7	25	900	612	10.8
0.68	44	17	25	1.2	6	26	800	544	10.2
1	44	21.5	29.5	1.2	5.6	27	900	900	11
1.5	44	26	35.5	1.2	5	29	900	1350	12
1.5	57	21	29	1.2	5	30	700	1050	12.2
2	44	28	40.5	1.2	4.8	30	800	1600	13.2
2	57	24	33.5	1.2	4.8	32	600	1200	12.8
2.2	44	30	42.5	1.2	4.2	32	600	1320	13.8
2.2	57	25	34.5	1.2	4.2	32	500	1100	13.5
2.5	57	25	38	1.2	4	33	500	1250	14.2
3	57	28	40.5	1.2	3.5	34	480	1440	15.6
3.3	57	29.5	42	1.2	3.2	35	450	1485	16.5
3.5	57	30.5	43	1.2	3.2	35	450	1575	17.2
4.7	57	35	50.5	1.2	3	36	420	1974	17.8
5.6	57	38.5	65	1.2	2.8	38	400	2240	18.2
വോൾട്ടേജ്		Un 1200V.DC;Urms 550Vac;Us 1800V
കപ്പാസിറ്റൻസ്(uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (മില്ലീമീറ്റർ)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (എ)
0.1	32	8.5	16	0.8	20	20	1300	130	6
0.15	32	10	17.5	1	18	20	1200	180	7.5
0.22	32	13	21	1	15	22	1200	264	8.3
0.33	32	16	24	1	12	23	1200	396	9
0.47	32	17.5	30	1.2	10	23	1200	564	9.5
0.47	44	15	23	1.2	9	26	1100	517	9.8
0.68	32	21.5	34	1.2	8	25	1100	517	10
0.68	44	18.5	26.5	1.2	6	27	1000	680	11.7
1	44	23	31	1.2	5	28	1000	1000	12.4
1.5	44	26.5	39	1.2	5	30	950	1425	13.5
1.5	57	22.5	30.5	1.2	5	29	900	1350	12.6
2	44	29	45	1.2	5	30	800	1600	14.2
2	57	26.5	34.5	1.2	4.8	30	750	1500	13.8
2.2	44	31	47	1.2	4.2	32	800	1760	14.5
2.2	57	27.5	35.5	1.2	4.2	35	700	1540	14.5
3	57	29	44.5	1.2	3.2	37	500	1500	17.2
3.3	57	30.5	46	1.2	3.2	38	450	1485	17.8
4.7	57	38	53.5	1.2	3	38	420	1974	18.2
വോൾട്ടേജ്		Un 1700V.DC;Urms 600Vac;Us 2550V
കപ്പാസിറ്റൻസ്(uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (മില്ലീമീറ്റർ)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (എ)
0.1	32	9.5	17.5	0.8	18	25	1300	130	7.5
0.15	32	12	20	1	16	24	1200	180	8.5
0.22	32	15	23	1	15	24	1200	264	9.3
0.33	32	18.5	26.5	1	12	22	1200	396	9.9
0.33	44	13.5	21.5	1.2	12	29	1100	363	10.2
0.47	44	16	24	1.2	9	28	1000	470	11.2
0.68	44	20	28	1.2	8	27	1000	680	11.7
1	44	24	33.5	1.2	5.6	26	900	900	12.4
1	57	19.5	27.5	1.2	6	33	850	850	10.8
1.5	44	28	40.5	1.2	4.8	25	800	1200	13.5
1.5	57	24	32	1.2	5	33	750	1125	13.5
2	44	31.5	47	1.2	4.5	24	750	1500	14.2
2	57	27.5	37	1.2	4.8	32	650	1300	12.8
2.2	44	33.5	49	1.2	4.5	34	700	1540	15.6
2.2	57	29	40	1.2	4.2	32	600	1320	14.5
3	57	31	46.5	1.2	4	30	560	1680	17.2
3.3	57	33	48.5	1.2	3.2	29	500	1650	17.6
4	57	37	52.5	1.2	3	28	450	1800	18.2
വോൾട്ടേജ്		Un 2000V.DC;Urms 700Vac;Us 3000V
കപ്പാസിറ്റൻസ്(uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (മില്ലീമീറ്റർ)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (എ)
0.068	32	9	17	0.8	25	23	1500	102	6.9
0.1	32	11.5	19.5	1	18	22	1500	150	8.2
0.1	37	10.5	18.5	1	18	26	1450	145	8
0.22	32	17.5	25.5	1.2	15	21	1400	308	9.1
0.22	37	16	24	1.2	15	25	1300	286	9
0.33	37	20	28	1.2	12	24	1250	412.5	9.5
0.33	44	18	26	1.2	12	30	1200	396	10.2
0.47	44	19.5	32	1.2	10	29	1100	517	12.4
0.68	44	24	36.5	1.2	8	28	1000	680	14.2
0.68	57	18.5	31	1.2	8	27	900	612	14.2
1	57	23.5	36	1.2	6	31	950	950	14.5
1.5	57	29.5	42	1.2	5	31	850	1275	14.5
2	57	33	48.5	1.2	4.2	31	750	1500	16.5
2.2	57	35	50.5	1.2	4	30	700	1540	17.8
വോൾട്ടേജ്		Un 3000V.DC;Urms 750Vac;Us 4500V
കപ്പാസിറ്റൻസ്(uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (മില്ലീമീറ്റർ)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (എ)
0.047	44	13.5	21.5	1	22	20	2000	94	8.5
0.068	44	17	25	1	20	20	1800	122.4	10.5
0.1	44	20.5	28.5	1.2	18	20	1500	150	12.4
0.15	44	26	34	1.2	16	22	1350	202.5	13.8
0.22	44	29	41.5	1.2	14.5	22	1200	264	14.5