മീഡിയം ഫ്രീക്വൻസി ഇൻഡക്ഷൻ ഫർണസിനുള്ള കപ്പാസിറ്ററിന് ഏറ്റവും കുറഞ്ഞ വില - ഉയർന്ന പവർ ആപ്ലിക്കേഷനുകൾക്കുള്ള ഹൈ-ക്ലാസ് ഐജിബിടി സ്നബ്ബർ കപ്പാസിറ്റർ ഡിസൈൻ - സിആർഇ

മീഡിയം ഫ്രീക്വൻസി ഇൻഡക്ഷൻ ഫർണസിനുള്ള കപ്പാസിറ്ററിന് ഏറ്റവും കുറഞ്ഞ വില - ഉയർന്ന പവർ ആപ്ലിക്കേഷനുകൾക്കുള്ള ഹൈ-ക്ലാസ് IGBT സ്നബ്ബർ കപ്പാസിറ്റർ ഡിസൈൻ - CRE ഫീച്ചർ ചെയ്ത ചിത്രം

ഹൃസ്വ വിവരണം:

ഞങ്ങൾക്ക് ഇമെയിൽ അയയ്ക്കുക PDF ആയി ഡൗൺലോഡ് ചെയ്യുക

ഉൽപ്പന്ന വിശദാംശങ്ങൾ

ഉൽപ്പന്ന ടാഗുകൾ

അനുബന്ധ വീഡിയോ

പ്രതികരണം (2)

ഞങ്ങൾ മികവിനായി ശ്രമിക്കുന്നു, ഉപഭോക്താക്കളെ കമ്പനിയാക്കുന്നു", വ്യക്തികൾക്കും വിതരണക്കാർക്കും ഉപഭോക്താക്കൾക്കുമായി മികച്ച സഹകരണ ടീമും ആധിപത്യ കമ്പനിയും ആയിരിക്കുമെന്ന് പ്രതീക്ഷിക്കുന്നു, വില വിഹിതവും തുടർച്ചയായ വിപണനവും തിരിച്ചറിയുന്നു.കാറ്റ് പവർ ജനറേറ്ററിനുള്ള കപ്പാസിറ്റർ , മീഡിയം ഫ്രീക്വൻസി ഇൻഡക്ഷൻ ഫർണസ് കപ്പാസിറ്റർ , വയർലെസ് ചാർജിംഗ് ആപ്ലിക്കേഷനായി റെസൊണൻ്റ് കപ്പാസിറ്റർ, നിങ്ങൾ ചൈനയിൽ ദീർഘകാല ബിസിനസ്സ് ബന്ധത്തിനായി നല്ല നിലവാരവും വേഗത്തിലുള്ള ഡെലിവറിയും മികച്ച സേവനവും മികച്ച വില വിതരണവും തേടുകയാണെങ്കിൽ, ഞങ്ങൾ നിങ്ങളുടെ ഏറ്റവും മികച്ച ചോയ്സ് ആയിരിക്കും.

മീഡിയം ഫ്രീക്വൻസി ഇൻഡക്ഷൻ ഫർണസിനുള്ള കപ്പാസിറ്ററിന് ഏറ്റവും കുറഞ്ഞ വില - ഉയർന്ന പവർ ആപ്ലിക്കേഷനുകൾക്കുള്ള ഹൈ-ക്ലാസ് IGBT സ്നബ്ബർ കപ്പാസിറ്റർ ഡിസൈൻ - CRE വിശദാംശങ്ങൾ:

സാങ്കേതിക ഡാറ്റ

പ്രവർത്തന താപനില പരിധി	പരമാവധി. പ്രവർത്തന താപനില., മുകളിൽ, പരമാവധി: +105℃ ഉയർന്ന വിഭാഗത്തിലെ താപനില: +85℃ താഴ്ന്ന വിഭാഗത്തിലെ താപനില: -40℃
കപ്പാസിറ്റൻസ് പരിധി	0.1μF～5.6μF
റേറ്റുചെയ്ത വോൾട്ടേജ്	700V.DC～3000V.DC
Cap.tol	±5%(ജെ);±10%(കെ)
വോൾട്ടേജ് സഹിക്കുക	1.5Un DC/10S
ഡിസിപ്പേഷൻ ഘടകം	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ഇൻസുലേഷൻ പ്രതിരോധം	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S(20℃ 100V.DC 60S)
സ്ട്രൈക്ക് കറൻ്റിനെ നേരിടുക	ഡാറ്റ ഷീറ്റ് കാണുക
ഫ്ലേം റിട്ടാർഡേഷൻ	UL94V-0
ആയുർദൈർഘ്യം	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
റഫറൻസ് സ്റ്റാൻഡേർഡ്	IEC61071;GB/T17702;

സ്പെസിഫിക്കേഷൻ ടേബിൾ

വോൾട്ടേജ്	Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	അളവ് (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (എ)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
വോൾട്ടേജ്	Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	അളവ് (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
വോൾട്ടേജ്	Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32
വോൾട്ടേജ്	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
വോൾട്ടേജ്	Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
വോൾട്ടേജ്	Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

ഉൽപ്പന്ന വിശദാംശ ചിത്രങ്ങൾ:

അനുബന്ധ ഉൽപ്പന്ന ഗൈഡ്:

"ക്ലയൻ്റ്-ഓറിയൻ്റഡ്" എൻ്റർപ്രൈസ് ഫിലോസഫി, കഠിനമായ നല്ല ഗുണനിലവാര നിയന്ത്രണ സാങ്കേതികത, അത്യാധുനിക ഉൽപ്പാദന ഉപകരണങ്ങൾ, കരുത്തുറ്റ R&D സ്റ്റാഫ് എന്നിവയ്ക്കൊപ്പം, ഞങ്ങൾ പൊതുവെ മികച്ച നിലവാരമുള്ള ചരക്കുകളും മികച്ച പരിഹാരങ്ങളും ആക്രമണാത്മക നിരക്കുകളും വാഗ്ദാനം ചെയ്യുന്നു. ഉയർന്ന പവർ ആപ്ലിക്കേഷനുകൾക്കായുള്ള ഹൈ-ക്ലാസ് ഐജിബിടി സ്നബ്ബർ കപ്പാസിറ്റർ ഡിസൈൻ - CRE , ഉൽപ്പന്നം ലോകമെമ്പാടും വിതരണം ചെയ്യും, അതായത്: ഹോളണ്ട്, അംഗോള, മംഗോളിയ, ഞങ്ങളുടെ ടീമിന് വിവിധ രാജ്യങ്ങളിലെ വിപണി ആവശ്യകതകൾ നന്നായി അറിയാം, കൂടാതെ അനുയോജ്യമായ വിതരണം ചെയ്യാൻ കഴിവുള്ളതുമാണ് വിവിധ വിപണികളിലേക്ക് മികച്ച വിലയിൽ ഗുണനിലവാരമുള്ള ഉൽപ്പന്നങ്ങളും പരിഹാരങ്ങളും.മൾട്ടി-വിൻ തത്വം ഉപയോഗിച്ച് ക്ലയൻ്റുകളെ വികസിപ്പിക്കുന്നതിന് ഞങ്ങളുടെ കമ്പനി ഇതിനകം പരിചയസമ്പന്നരും സർഗ്ഗാത്മകവും ഉത്തരവാദിത്തമുള്ളതുമായ ഒരു ടീമിനെ സജ്ജമാക്കിയിട്ടുണ്ട്.

സോളാർ ഇൻവെർട്ടറിനായി ഇഷ്ടാനുസൃതമാക്കിയ കപ്പാസിറ്റർ

ഡ്രൈ ടൈപ്പ് ഫിലിം കപ്പാസിറ്റർ ഫാക്ടറി

ഇലക്ട്രോണിക് ഫിലിം കപ്പാസിറ്റർ

എസ്സിന് ഫിലിം കപ്പാസിറ്റർ

മെഡിക്കൽ ഉപകരണങ്ങൾക്കുള്ള ഫിലിം കപ്പാസിറ്റർ

മെറ്റലൈസ്ഡ് പ്ലാസ്റ്റിക് ഫിലിം കപ്പാസിറ്റർ

പിസിബി മൗണ്ടഡ് കപ്പാസിറ്റർ

പവർ കൺവെർട്ടർ കപ്പാസിറ്റർ

സ്നബ്ബർ ഹൈ വോൾട്ടേജ് കപ്പാസിറ്ററുകൾ

സർജ് അബ്സോർബിംഗ് കപ്പാസിറ്റർ

കമ്പനി നേതാവ് ഞങ്ങളെ ഊഷ്മളമായി സ്വീകരിച്ചു, സൂക്ഷ്മവും സമഗ്രവുമായ ചർച്ചയിലൂടെ ഞങ്ങൾ ഒരു പർച്ചേസ് ഓർഡറിൽ ഒപ്പിട്ടു.സുഗമമായി സഹകരിക്കുമെന്ന് പ്രതീക്ഷിക്കുന്നു