ഉയർന്ന പവർ സിസ്റ്റത്തിനായി രൂപകൽപ്പന ചെയ്ത നൂതന എംബഡഡ് പിസിബി കപ്പാസിറ്റർ

ഉയർന്ന പവർ സിസ്റ്റത്തിനായി രൂപകൽപ്പന ചെയ്‌ത വിപുലമായ എംബഡഡ് പിസിബി കപ്പാസിറ്റർ ഫീച്ചർ ചെയ്‌ത ചിത്രം

ഹൃസ്വ വിവരണം:

പിൻ ടെർമിനൽ ഉപയോഗിച്ച് രൂപകൽപ്പന ചെയ്ത AKMJ-PS സീരീസ്, PCB ബോർഡിൽ മൗണ്ട് ചെയ്യുന്നു.എസി ഫിൽട്ടറിനായി ഉപയോഗിക്കുന്ന പവർ ഇലക്ട്രോണിക് ഉപകരണങ്ങളിൽ വ്യാപകമായി ഉപയോഗിക്കുന്നു.

ഞങ്ങൾക്ക് ഇമെയിൽ അയയ്ക്കുക PDF ആയി ഡൗൺലോഡ് ചെയ്യുക

ഉൽപ്പന്ന വിശദാംശങ്ങൾ

ഉൽപ്പന്ന ടാഗുകൾ

സാങ്കേതിക ഡാറ്റ

പ്രവർത്തന താപനില പരിധി	പരമാവധി. പ്രവർത്തന താപനില
കപ്പാസിറ്റൻസ് പരിധി	3～50μF
റേറ്റുചെയ്ത വോൾട്ടേജ്	200V.AC～450V.AC
Cap.tol	±5%(ജെ) ;±10%(കെ)
വോൾട്ടേജ് സഹിക്കുക	2Un DC/10S
ഡിസിപ്പേഷൻ ഘടകം	tgδ≤0.0015f=1KHz
ഇൻസുലേഷൻ പ്രതിരോധം	RS*C≥5000S(20℃ 100V.DC60S)
ഫ്ലേം റിട്ടാർഡേഷൻ	UL94V-0
ആയുർദൈർഘ്യം	100000h (Un; Θhotspot≤70 °C)
റഫറൻസ് സ്റ്റാൻഡേർഡ്	IEC61071;
പ്രവർത്തന താപനില പരിധി	പരമാവധി. പ്രവർത്തന താപനില
കപ്പാസിറ്റൻസ് പരിധി	3～50μF
റേറ്റുചെയ്ത വോൾട്ടേജ്	200V.AC～450V.AC
Cap.tol	±5%(ജെ) ;±10%(കെ)
വോൾട്ടേജ് സഹിക്കുക	2Un DC/10S
ഡിസിപ്പേഷൻ ഘടകം	tgδ≤0.0015f=1KHz
ഇൻസുലേഷൻ പ്രതിരോധം	RS*C≥5000S(20℃ 100V.DC60S)
ഫ്ലേം റിട്ടാർഡേഷൻ	UL94V-0
ആയുർദൈർഘ്യം	100000h (Un; Θhotspot≤70 °C)

ഫീച്ചർ

1. ഡ്രൈ ഫിലിം നിർമ്മാണം;
2. ടിൻ ചെയ്ത ചെമ്പ് വയർ ഉള്ള ലീഡുകൾ;ചെറിയ വലിപ്പം.എളുപ്പമുള്ള ഇൻസ്റ്റാളേഷൻ;
3. കുറഞ്ഞ ESL, ESR;
4. ഉയർന്ന പൾസ് കറൻ്റ്.

അപേക്ഷ

1. ഊർജ്ജ സംഭരണം ഫിൽട്ടർ ചെയ്യുന്നതിന് ഡിസി-ലിങ്ക് സർക്യൂട്ടിൽ വ്യാപകമായി ഉപയോഗിക്കുന്നു;
2. ഇലക്ട്രോലൈറ്റിക് കപ്പാസിറ്ററുകൾ മാറ്റിസ്ഥാപിക്കാൻ കഴിയും, മികച്ച പ്രകടനം, ദീർഘായുസ്സ്.
3. പിവി ഇൻവെർട്ടർ, കാറ്റ് പവർ കൺവെർട്ടർ;എല്ലാത്തരം ഫ്രീക്വൻസി കൺവെർട്ടറും ഇൻവെർട്ടർ പവർ സപ്ലൈയും;
ശുദ്ധമായ ഇലക്ട്രിക്, ഹൈബ്രിഡ് കാറുകൾ;ചാർജിംഗ് പൈൽ, യുപിഎസ്, മുതലായവ.

ഔട്ട്ലൈൻ ഡ്രോയിംഗ്

fff

	(എംഎം)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	φd	P1	P2	ESR @10KHz (mΩ)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @10KHz (A)
20	42.5	30	45	1.2	37.5		2.3	30	600	12
20	42.5	30	45	1.2	37.5	20.3	1.8	30	600	22
25	57.5	30	45	1.2	52.5		3.8	17	425	12
25	57.5	30	45	1.2	52.5	20.3	3.2	17	425	22
30	57.5	30	45	1.2	52.5		3.5	17	510	12
30	57.5	30	45	1.2	52.5	20.3	2.9	17	510	22
30	57.5	30	45	1.2	52.5	10.2	2.8	17	510	25
33	57.5	35	50	1.2	52.5		3.3	17	561	12
33	57.5	35	50	1.2	52.5	20.3	2.7	17	561	22
33	57.5	35	50	1.2	52.5	10.2	2.6	17	561	28
35	57.5	35	50	1.2	52.5		3.2	17	595	12
35	57.5	35	50	1.2	52.5	20.3	2.6	17	595	22
35	57.5	35	50	1.2	52.5	10.2	2.5	17	595	30
40	57.5	35	50	1.2	52.5		3	17	680	12
40	57.5	35	50	1.2	52.5	20.3	2.4	17	680	22
40	57.5	35	50	1.2	52.5	10.2	2.3	17	680	30
45	57.5	38	54	1.0	52.5		2.8	17	765	12
45	57.5	38	54	1.0	52.5	20.3	2.3	17	765	22
45	57.5	38	54	1.0	52.5	10.2	2.2	17	765	32
50	57.5	42.5	56	1.2	52.5		2.7	17	850	12
50	57.5	42.5	56	1.2	52.5	20.3	2.2	17	850	22
50	57.5	42.5	56	1.2	52.5	10.2	2.1	17	850	32

വോൾട്ടേജ്			Un 400V.DC,Urms250Vac;Us800V
	(എംഎം)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	φd	P1	P2	ESR(mΩ)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
10	42.5	33.5	35.5	1.2	37.5		2.6	40	400	12
10	42.5	33.5	35.5	1.2	37.5	20.3	2	40	400	23
15	42.5	30	45	1.2	37.5		2.3	40	600	28
15	42.5	30	45	1.2	37.5	20.3	1.8	40	600	28
15	42.5	30	45	1.2	37.5	10.2	1.7	40	600	28
18	42.5	33	45	1.2	37.5		2.2	40	720	15
18	42.5	33	45	1.2	37.5	20.3	1.7	40	720	15
18	42.5	33	45	1.2	37.5	10.2	1.6	40	720	15
20	57.5	30	45	1.2	52.5		3.5	20	400	25
20	57.5	30	45	1.2	52.5	20.3	2.9	20	400	25
20	57.5	30	45	1.2	52.5	10.2	2.8	20	400	25
25	57.5	35	50	1.2	52.5		3.4	20	500	28
25	57.5	35	50	1.2	52.5	20.3	2.8	20	500	28
25	57.5	35	50	1.2	52.5	10.2	2.7	20	500	28
30	57.5	38	54	1.2	52.5		3.2	20	600	25
30	57.5	38	54	1.2	52.5	20.3	2.7	20	600	25
30	57.5	38	54	1.2	52.5	10.2	2.6	20	600	25

വോൾട്ടേജ്			Un 600V.DC,Urms330Vac;Us1200V
		(എംഎം)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	φd	P1	P2	ESR(mΩ)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
5	42.5	33.5	35.5	1.2	37.5		3.1	55	275	12
5	42.5	33.5	35.5	1.2	37.5	20.3	2.5	55	275	20
6.8	42.5	30	45	1.2	37.5		2.8	55	374	12
6.8	42.5	30	45	1.2	37.5	20.3	2.2	55	374	22
9	42.5	30	45	1.2	37.5		2.6	55	495	12
9	42.5	30	45	1.2	37.5	20.3	2.2	55	495	22
9	42.5	30	45	1.2	37.5	10.2	1.9	55	495	28
10	57.5	30	45	1.2	52.5		4.2	30	300	22
10	57.5	30	45	1.2	52.5	20.3	3.7	30	300	25
15	57.5	35	50	1.2	52.5		3.6	30	450	12
15	57.5	35	50	1.2	52.5	20.3	2.8	30	450	20
15	57.5	35	50	1.2	52.5	10.2	2.7	30	450	28

വോൾട്ടേജ്			Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1400V
		(എംഎം)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	φd	P1	P2	ESR(mΩ)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
4.7	42.5	30	45	1.2	37.5		3	70	329	12
4.7	42.5	30	45	1.2	37.5	20.3	2.4	70	329	22
5	42.5	30	45	1.2	37.5		2.9	70	350	12
5	42.5	30	45	1.2	37.5	20.3	2.3	70	350	22
6	42.5	33	45	1.2	37.5		2.8	70	420	12
6	42.5	33	45	1.2	37.5	20.3	2.2	70	420	22
8	57.5	35	50	1.2	52.5		4.2	40	320	12
8	57.5	35	50	1.2	52.5	20.3	3.6	40	320	22
8	57.5	35	50	1.2	52.5	10.2	3.5	40	320	28
10	57.5	35	50	1.2	52.5		3.9	40	400	12
10	57.5	35	50	1.2	52.5	20.3	3.3	40	400	22
10	57.5	35	50	1.2	52.5	10.2	3.2	40	400	30
15	57.5	38	54	1.2	52.5		3.6	40	600	12
15	57.5	38	54	1.2	52.5	20.3	3.1	40	600	22
15	57.5	38	54	1.2	52.5	10.2	3	40	600	30

വോൾട്ടേജ്			Un 850V.DC,Urms450Vac;Us1700V
		(എംഎം)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	φd	P1	P2	ESR(mΩ)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
3	42.5	30	45	1.2	37.5		2.4	110	330	12
3	42.5	30	45	1.2	37.5	20.3	1.8	110	330	22
3	42.5	30	45	1.2	37.5	10.2	1.7	110	330	25
3.3	42.5	30	45	1.2	37.5		2.3	110	363	12
3.3	42.5	30	45	1.2	37.5	20.3	1.7	110	363	22
3.3	42.5	30	45	1.2	37.5	10.2	1.6	110	363	28
4	57.5	30	45	1.2	52.5		3.1	55	220	12
4	57.5	30	45	1.2	52.5	20.3	2.5	55	220	22
4	57.5	30	45	1.2	52.5	10.2	2.4	55	220	28
4.7	57.5	30	45	1.2	52.5		3	55	258.5	12
4.7	57.5	30	45	1.2	52.5	20.3	2.4	55	258.5	22
4.7	57.5	30	45	1.2	52.5	10.2	2.3	55	258.5	30
5.6	57.5	35	50	1.2	52.5		2.9	55	308	12
5.6	57.5	35	50	1.2	52.5	20.3	2.2	55	308	22
5.6	57.5	35	50	1.2	52.5	10.2	2.2	55	308	31
6	57.5	35	50	1.2	37.5		2.8	55	330	12
6	57.5	35	50	1.2	37.5	20.5	2.1	55	330	22
6	57.5	35	50	1.2	37.5	10.2	2	55	330	32
6.8	57.5	42.5	56	1.2	37.5		2.5	55	374	12
6.8	57.5	42.5	56	1.2	37.5	20.3	1.9	55	374	22
6.8	57.5	42.5	56	1.2	37.5	10.2	1.8	55	374	32