എസി ഫിൽട്ടർ കപ്പാസിറ്റർ (എകെഎംജെ-എംസി)

ഹൃസ്വ വിവരണം:

കപ്പാസിറ്റർ മോഡൽ: AKMJ-MC സീരീസ് (എസി ഫിൽട്ടർ ഫിലിം കപ്പാസിറ്റർ)

ഫീച്ചറുകൾ:

1. ഡ്രൈ റെസിൻ പൂരിപ്പിക്കൽ സാങ്കേതികവിദ്യ

2. ചെമ്പ് നട്ട് / സ്ക്രൂ ഇലക്ട്രോഡുകൾ, ഇൻസുലേഷനായി പ്ലാസ്റ്റിക് കവർ, എളുപ്പത്തിലുള്ള ഇൻസ്റ്റാളേഷൻ

3. അലുമിനിയം സിലിണ്ടർ പാക്കേജ്, പരിസ്ഥിതി സൗഹൃദ ഡ്രൈ റെസിൻ ഉപയോഗിച്ച് അടച്ചിരിക്കുന്നു

4. ഉയർന്ന വോൾട്ടേജിനുള്ള പ്രതിരോധം, സ്വയം-ശമന സവിശേഷത

5. ഉയർന്ന റിപ്പിൾ കറൻ്റ്, ഉയർന്ന dv/dt താങ്ങാനുള്ള ശേഷി

6. വലിയ ശേഷി, ചെറിയ ഭൗതിക വലിപ്പം

7. കോംപാക്റ്റ് ഡിസൈൻ

അപേക്ഷകൾ:

1. ഇലക്ട്രോണിക് ഉപകരണങ്ങളിൽ എസി ഫിൽട്ടറിംഗ്

2. വലിയ തോതിലുള്ള യുപിഎസിൽ എസി ഫിൽട്ടറിംഗ്/ഹാർമോണിക് വേവ് കൺട്രോൾ/പവർ ഫാക്ടർ മെച്ചപ്പെടുത്തൽ (തടസ്സമില്ലാത്ത പവർ സപ്ലൈ), സ്വിച്ചിംഗ് പവർ സപ്ലൈ, ഫ്രീക്വൻസി കൺവെർട്ടർ

ഞങ്ങൾക്ക് ഇമെയിൽ അയയ്ക്കുക PDF ആയി ഡൗൺലോഡ് ചെയ്യുക

ഉൽപ്പന്ന വിശദാംശങ്ങൾ

ഉൽപ്പന്ന ടാഗുകൾ

സാങ്കേതിക ഡാറ്റ

പ്രവർത്തന താപനില പരിധി		പരമാവധി. പ്രവർത്തന താപനില: +85℃ ഉയർന്ന വിഭാഗത്തിലെ താപനില:+70℃ താഴ്ന്ന വിഭാഗത്തിലെ താപനില:-40℃
കപ്പാസിറ്റൻസ് പരിധി	സിംഗിൾ-ഫേസ്	20UF～500μF
	മൂന്ന്-ഘട്ടം	3×40UF～3×200μF
റേറ്റുചെയ്ത വോൾട്ടേജ്		330V.AC/50Hz～1140V.AC/50Hz
Cap.tol		±5%(ജെ) ;
വോൾട്ടേജ് സഹിക്കുക		Vt-t	2.15Un /10S
		Vt-c	1000+2×Un V.AC 60S(min3000V.AC)
ഓവർ വോൾട്ടേജ്		1.1അൺ (ഓൺ-ലോഡ് സമയത്ത് 30%.)
		1.15 Un(30മിനിറ്റ്/ദിവസം)
		1.2അൺ (5മിനിറ്റ്/ദിവസം)
		1.3അൺ(1മിനിറ്റ്/ദിവസം)
		1.5Un (ഓരോ തവണയും 100ms, ജീവിതകാലത്ത് 1000 തവണ)
ഡിസിപ്പേഷൻ ഘടകം		tgδ≤0.002 f=100Hz
		tgδ0≤0.0002
ഇൻസുലേഷൻ പ്രതിരോധം		RS*C≥10000S(20℃ 100V.DC)
ഫ്ലേം റിട്ടാർഡേഷൻ		UL94V-0
പരമാവധി ലക്ഷ്യബോധം		2000മീ
		ഉയരം 2000 മീറ്ററിൽ കൂടുതലും 5000 മീറ്ററിൽ താഴെയുമാകുമ്പോൾ, കുറച്ച തുകയുടെ ഉപയോഗം പരിഗണിക്കേണ്ടത് ആവശ്യമാണ്.(ഓരോ 1000 മീറ്റർ വർദ്ധനവിനും, വോൾട്ടേജും കറൻ്റും 10% കുറയും)
ആയുർദൈർഘ്യം		100000h(Un; Θhotspot≤55 °C)
റഫറൻസ് സ്റ്റാൻഡേർഡ്		IEC61071;IEC 60831;

ഫീച്ചർ

1. അലുമിനിയം റൗണ്ട് ഹൗസിംഗ് പാക്കേജ്, റെസിൻ ഉപയോഗിച്ച് അടച്ചിരിക്കുന്നു;

2. ചെമ്പ് നട്ട് / സ്ക്രൂ ലീഡുകൾ, ഇൻസുലേറ്റഡ് പ്ലാസ്റ്റിക് കവർ പൊസിഷനിംഗ്;

3. വലിയ ശേഷി, ഇഷ്ടാനുസൃതമാക്കിയ അളവ്;

4. ഉയർന്ന വോൾട്ടേജിനുള്ള പ്രതിരോധം, സ്വയം-ശമനത്തോടെ;

5. ഉയർന്ന റിപ്പിൾ കറൻ്റ്, ഉയർന്ന ഡിവി / ഡിടി താങ്ങാനുള്ള ശേഷി.

അപേക്ഷ

1. എസി ഫിൽട്ടറിംഗിനായി ഉപയോഗിക്കുന്ന പവർ ഇലക്ട്രോണിക് ഉപകരണങ്ങളിൽ വ്യാപകമായി ഉപയോഗിക്കുന്നു.

2. ഉയർന്ന പവർ യുപിഎസിൽ, എസി ഫിൽട്ടറിനായുള്ള സ്വിച്ചിംഗ് പവർ സപ്ലൈ, ഇൻവെർട്ടർ, മറ്റ് ഉപകരണങ്ങൾ, ഹാർമോണിക്സ്, പവർ ഫാക്ടർ നിയന്ത്രണം മെച്ചപ്പെടുത്തുക.

സാധാരണ സർക്യൂട്ട്

mc2

ആയുർദൈർഘ്യം

mc3

സിംഗിൾ ഫേസിൻ്റെ ഔട്ട്‌ലൈൻ ഡ്രോയിംഗ്

ΦD(mm)	പി(എംഎം)	H1(mm)	S	F	M
76	32	20	M12×16	M6×10	M8×20
86	32	20	M12×16	M6×10	M8×20
96	45	20	M12×16	M6×10	M8×20
116	50	22	M12×16	M6×10	M8×20
136	50	30	M16×25	M6×10	M8×20

mc4

mc5

മൂന്ന് ഘട്ടങ്ങളുടെ രൂപരേഖ

ΦD(mm)	H1(mm)	S	F	M	D1	P
116	40	M12×16	M6×10	M8×20	50	43.5
136	30	M16×25	M6×10	M8×20	60	52

mc6

വോൾട്ടേജ്			Un=330V.AC Us=1200V
Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	ഈസ്(KA)	Irms(A)50℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	പി(എംഎം)	ഭാരം (കിലോ)
80	76	80	40	80	6.4	19.2	30	4	4.2	32	0.5
120	86	80	40	70	8.4	25.2	40	2.8	3.3	32	0.7
150	96	80	45	70	10.5	31.5	50	3.5	1.7	45	0.75
170	76	130	50	60	10.2	30.6	60	3.2	1.3	32	0.75
230	86	130	50	60	13.8	41.4	70	2.4	1.3	32	1.1
300	96	130	50	50	15.0	45.0	75	2.8	1.0	45	1.2
420	116	130	60	50	21.0	63.0	80	1.9	1.2	50	1.6

വോൾട്ടേജ്			Un=450V.AC Us=1520V
Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	ഈസ്(KA)	Irms(A)50℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	പി(എംഎം)	ഭാരം (കിലോ)
50	76	80	40	90	4.5	13.5	30	4	4.2	32	0.5
65	86	80	50	80	5.2	15.6	40	2.8	3.3	32	0.7
80	96	80	45	80	6.4	19.2	50	3.5	1.7	45	0.75
100	76	130	50	70	7.0	21.0	60	3.2	1.3	32	0.75
130	86	130	45	60	7.8	23.4	70	2.4	1.3	32	1.1
160	96	130	50	50	8.0	24.0	75	2.8	1.0	45	1.2
250	116	130	60	50	12.5	37.5	80	1.9	1.2	50	1.6

വോൾട്ടേജ്			Un=690V.AC Us=2100V
Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	ഈസ്(KA)	Irms(A)50℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	പി(എംഎം)	ഭാരം (കിലോ)
40	76	130	50	100	4.0	12.0	30	2.8	6.0	32	0.75
50	76	150	45	90	4.5	13.5	35	2.4	5.1	32	0.85
60	86	130	45	80	4.8	14.4	40	2.2	4.3	32	1.1
65	86	150	50	80	5.2	15.6	45	1.8	4.1	32	1.2
75	96	130	50	80	6.0	18.0	50	1.5	4.0	45	1.2
80	96	150	55	75	6.0	18.0	60	1.2	3.5	45	1.3
110	116	130	60	70	7.7	23.1	65	0.8	4.4	50	1.6
120	116	150	65	50	6.0	18.0	75	0.6	4.4	50	1.8

വോൾട്ടേജ്			Un=850V.AC Us=2850V
Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	ഈസ്(KA)	Irms(A)50℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	പി(എംഎം)	ഭാരം (കിലോ)
25	76	130	50	110	2.8	8.3	35	1.5	8.2	32	0.75
30	76	150	60	100	3.0	9.0	40	1.2	7.8	32	0.85
32	86	130	45	100	3.2	9.6	50	1.15	5.2	32	1.1
45	86	150	50	90	4.1	12.2	50	1.05	5.7	32	1.2
40	96	130	50	90	3.6	10.8	50	1	6.0	45	1.2
60	96	150	60	85	5.1	15.3	60	0.9	4.6	45	1.3
60	116	130	60	80	4.8	14.4	65	0.85	4.2	50	1.6
90	116	150	65	75	6.8	20.3	75	0.8	3.3	50	1.8

Cn (μF)		φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	ഈസ്(KA)	Irms(A)	ESR(mΩ)	Rth(K/W)	പി(എംഎം)	ഭാരം (കിലോ)

	വോൾട്ടേജ്			Un=400V.AC Us=1200V
	Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	ഈസ്(KA)	Irms(A)50℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	പി(എംഎം)	ഭാരം (കിലോ)
3×	110	116	130	100	60	6.6	19.8	3×50	3×0.78	4.5	43.5	1.6
3×	145	116	180	110	50	7.3	21.8	3×60	3×0.72	3.8	43.5	2.4
3×	175	116	210	120	50	8.8	26.3	3×75	3×0.67	3.5	43.5	2.7
3×	200	136	230	125	40	8.0	24.0	3×85	3×0.6	2.1	52	4.2

	വോൾട്ടേജ്			Un=500V.AC Us=1520V
	Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	ഈസ്(KA)	Irms(A)50℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	പി(എംഎം)	ഭാരം (കിലോ)
3×	100	116	180	100	80	8.0	24.0	3×45	3×0.78	4.5	43.5	2.6
3×	120	116	230	120	70	8.4	25.2	3×50	3×0.72	3.8	43.5	3
3×	125	136	180	110	40	5.0	15.0	3×70	3×0.67	3.5	52	3.2
3×	135	136	230	130	50	6.8	20.3	3×80	3×0.6	2.1	52	4.2

	വോൾട്ടേജ്			Un=690V.AC Us=2100V
	Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	ഈസ്(KA)	Irms(A)50℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	പി(എംഎം)	ഭാരം (കിലോ)
3×	49	116	230	120	70	3.4	10.3	3×56	3×0.55	2.1	43.5	3
3×	55.7	136	230	130	90	5.0	15.0	3×56	3×0.4	2.1	52	4.2

	വോൾട്ടേജ്			Un=850V.AC Us=2580V
	Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	ഈസ്(KA)	Irms(A)50℃	ESR (mΩ) @1KHz	Rth(K/W)	പി(എംഎം)	ഭാരം (കിലോ)
3×	41.5	116	230	120	80	3.0	9.0	3×56	3×0.55	2.1	43.5	3
3×	55.7	136	230	130	50	0.4	1.2	3×104	3×0.45	1.8	52	4.2